台积电有望2025年量产2nm芯片

台积电总裁魏哲家在10月19日的法人说明会上宣布,台积电在美国亚利桑那州和日本的工厂将于2025年上半年和2024年底分别投入量产,届时台积电将实现2纳米芯片的量产目标。

台积电有望2025年量产2nm芯片

台积电当天也公布了三季度的财务报告,显示第三季度的净营收为5467.3亿元新台币,同比减少10.8%,环比增加13.7%;第三季度的净利润为2108亿元新台币,同比降低25%,环比提高16%。

此外,台积电第三季度的毛利率达到54.3%,高于前一季度的54.1%和预期的52.9%。

在之前在欧洲举办的开放创新平台(OIP)论坛上,台积电向合作伙伴展示了其未来几年的技术路线图,其中最令人瞩目的是其2nm级别的N2、N2P和N2X工艺技术。

这些工艺技术将采用多种创新技术,例如纳米片环绕栅极(GAA)晶体管、背面供电网络和超高性能金属-绝缘体-金属(SHPMIM)电容器等。

据了解,台积电的2nm工艺技术将相比3nm工艺技术带来10%~15%的性能提升、25%~30%的功耗降低以及超过1.15倍的逻辑密度增加。

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